碳化硅(SiC)本質上是一種化合物,由碳和硅結合而來,1893年法國化學家亨利.莫桑首次發現天然碳化硅晶體,因此也稱為莫桑石。天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合成。
六方氮化硼(h-BN)材料具有超高熱導和電絕緣性、獨特的光電性能、熱穩定性和化學惰性,在超高導熱、紫外光源及探測等領域有很大的應用潛力。
美國工程師首次創造出一種原子平面的硼烯雙層結構,這一壯舉挑戰了硼的自然傾向,即形成超出單原子層限制的非平面原子團簇。這項研究8月26日發表于《自然—材料》。
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多角色的硼
半導體中的黑馬,IGBT甘拜下風!碳化硅到底哪里強?
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